CMP浆料中含有少量的大颗粒，这些颗粒会对芯片表面造成微小的划痕。在先进节点的CMP工艺中，“划痕 ”缺陷成为影响工艺良率的关键因素。浆料中的纳米研磨颗粒 (10至100 nm)，以达到平整化要求，同时提高工艺的效率和产量。CMP浆料中的磨粒在pH值变化、剪切应力和温度的作用下会发生团聚。它会使颗粒凝聚成大颗粒凝胶，这是引起划痕的主要因素。
CMP浆料应用中最常用的过滤器采用孔径由大至小梯度分布的滤膜制成，其结构如下图所示。这种梯度结构使不同尺寸的颗粒在整个深度上逐渐去除，提升了滤芯使用寿命，延长设备单次正常工作时间，超细纤维滤膜在确保在拦截大颗粒的同时，尽可能多的放行有效颗粒。